时间：2025/6/6 19:14:01
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BSL296SNH6327是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并减少功率损耗。
由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计，BSL296SNH6327非常适合在空间受限的应用环境中使用。此外，该器件还具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力，从而确保了其在各种复杂工作条件下的可靠运行。
型号：BSL296SNH6327
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：28mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：4.8A
Vgs（栅源极电压）：±20V
功耗：1.5W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻Rds(on)，可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 小型化SOT-23封装，适合对PCB面积要求较高的应用。
3. 高击穿电压（60V），适用于多种中低压应用场景。
4. 快速开关速度，支持高频操作，满足现代电子设备的需求。
5. 宽广的工作温度范围，适应恶劣环境下的运行需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保无铅设计。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率控制元件。
5. 各种便携式电子设备中的电源管理模块。
6. LED驱动电路中的电流调节器件。
7. 通信设备中的信号切换与隔离组件。
AO3401A
SI2302DS
NTSM2955T
FDMC6680
