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BSL207SP 发布时间 时间:2025/7/3 13:29:01 查看 阅读:8

BSL207SP是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于功率转换、负载开关、DC-DC转换器等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适用于需要高效率和高性能的电路设计。它采用了SOT-23封装形式,便于安装在紧凑型电路板上。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:1.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:400mW
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

BSL207SP具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高度可靠的SOT-23小型封装,适用于空间受限的设计。
  4. 宽工作温度范围,使其能够在各种恶劣环境下正常运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于使用现代无铅焊接工艺。
  6. 栅极电荷较小,驱动更简单且能耗更低。

应用

BSL207SP广泛应用于以下领域:
  1. 手机充电器及适配器中的功率开关。
  2. 各种消费类电子产品中的负载开关。
  3. DC-DC转换器和 电池保护电路以及过流保护方案。
  5. 便携式设备的电源管理模块。
  6. 工业控制中的信号隔离与切换。

替代型号

AO3400A
  IRLML6401
  FDMC880
  BSS123

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BSL207SP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)41 毫欧 @ 6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 40μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1007 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TSOP6-6
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6