时间：2025/9/14 18:13:40
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BSH301是一款由英飞凌（Infineon）推出的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为低电压和中等功率应用而设计，具备优良的导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、负载开关、电池供电设备等多种应用场景。BSH301采用SOT-23封装，具备小巧的体积，适合在空间受限的电路中使用。其P沟道结构使得在低边开关或高边开关应用中能够有效控制负载的导通与断开。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：-100mA
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±10V
导通电阻（RDS(on))：最大值为3.5Ω（在VGS = -4.5V时）
栅极电荷（QG）：约3.3nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
BSH301的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性。由于其导通电阻较低，能够在较小的电压降下承载一定的电流，从而减少功耗并提高效率。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷，有助于提高开关速度并降低驱动损耗，使其适用于高频开关应用。
BSH301的工作温度范围广泛，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适合在恶劣环境条件下使用。其SOT-23封装不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT），提高生产效率。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在一定的过载条件下保持正常运行。其栅极驱动电压范围较宽，允许在3.3V至10V之间工作，适用于多种控制电路设计。
BSH301广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、电源管理模块、负载开关控制以及工业自动化设备中。例如，在智能手机、平板电脑和穿戴设备中，BSH301可用于控制不同功能模块的电源供应，实现节能和高效管理。此外，它还可用于DC-DC转换器、LED驱动电路以及小型电机控制电路中，提供可靠的开关性能。
在汽车电子系统中，BSH301可用于车载电源管理、传感器控制和低功耗模块的开关控制。其高可靠性和宽温度范围使其在汽车环境中表现出色。
Si3440DSV-T1-GE3, BSS84, FDN340P, 2N7002
