类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

BSH121,135 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻**：在栅极电压为 -4.5V 时，导通电阻（RDS(on)）低至 4.5Ω，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　2. **小尺寸封装**：采用 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，适用于高密度电路设计。
　　3. **低功耗设计**：由于其低导通电阻和较小的封装尺寸，该器件在运行过程中产生的热量较少，适用于低功耗应用。
　　4. **高可靠性**：NXP 的 Trench MOSFET 技术提供了稳定的电气性能和较长的使用寿命，确保了器件在复杂环境下的稳定运行。
　　5. **静电放电（ESD）保护**：内置 ESD 保护功能，提高了器件在生产、运输和实际使用中的抗静电能力。
　　6. **快速开关特性**：具有较低的栅极电荷（Qg），使得开关速度更快，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　7. **宽工作温度范围**：支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用环境。

BSH121,135 常用于以下场景：
　　1. **便携式电子设备**：如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，用于电源管理、负载开关控制等场景。
　　2. **电池供电系统**：作为低功耗开关元件，用于电池保护电路、充放电管理电路等。
　　3. **逻辑控制电路**：用于将微控制器或逻辑电路的输出信号转换为高功率负载的控制信号。
　　4. **DC-DC 转换器**：在小型 DC-DC 转换电路中作为同步整流器或开关元件，提高转换效率。
　　5. **LED 照明控制**：用于 LED 灯具的调光或开关控制，提供高效可靠的负载管理。
　　6. **工业自动化设备**：在小型继电器驱动、传感器供电管理等方面具有广泛应用。
　　7. **汽车电子系统**：如车载娱乐系统、车窗控制模块等低功率汽车电子控制单元。

BSH120,135 / BSH111,135 / BSH101,135 / DMG2305UX-7 / FDC6303P