您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSH112

BSH112 发布时间 时间:2025/5/20 16:57:28 查看 阅读:7

BSH112 是一种 NPN 型双极性晶体管,广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关或信号放大元件。该晶体管具有较低的饱和电压和较高的增益特性,适合用于低功率应用场合。
  BSH112 的设计使其能够在相对较低的工作电压下运行,并且能够处理一定范围内的电流。这种晶体管在消费类电子产品、工业控制以及通信设备等领域都有广泛应用。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):5A
  直流电流增益(hFE):最小值 10,典型值 50
  功耗(Ptot):65W
  过渡频率(fT):8MHz
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

BSH112 晶体管具有以下显著特点:
  1. 高电流承载能力,可以支持高达 5A 的集电极电流。
  2. 较高的电压承受能力,最大集电极-发射极电压为 40V。
  3. 直流电流增益范围宽,典型值达到 50,确保了稳定的信号放大性能。
  4. 低饱和电压,在作为开关使用时能有效减少功耗。
  5. 能够适应较宽的温度范围,从 -55℃ 到 +150℃,适用于多种环境条件下的工作。
  6. 具有较高的过渡频率(8MHz),能够满足高频信号处理的需求。

应用

BSH112 在许多领域都有实际应用,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源中的开关元件。
  2. 电机驱动电路中的驱动晶体管。
  3. 各种放大器电路中的信号放大器件。
  4. 继电器驱动电路中的控制元件。
  5. 照明控制系统中的调光和开关控制。
  6. 音频设备中的前置放大级和输出级驱动部件。

替代型号

2N3055
  TIP31C
  MJ15003

BSH112推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BSH112资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • BSH112
  • N-channel enhancement mode field-eff...
  • PHILIPS
  • 阅览
  • BSH112
  • N-channel enhancement mode field-eff...
  • PHILIPS ...
  • 阅览

BSH112参数

  • 典型输入电容值@Vds13 pF V @ 10
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.4mm
  • 封装类型TO-236AB
  • 尺寸3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散830 mW
  • 最大栅源电压±15 V
  • 最大漏源电压60 V
  • 最大漏源电阻值5
  • 最大连续漏极电流0.3 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度3mm
  • 高度1mm