BSH111BK是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用小型SOT-223封装。该器件以其低导通电阻、高效能和高可靠性而广泛应用于各种电子系统中,如电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备。BSH111BK的高性能特性使其在低电压和中等电流应用中表现出色,是设计人员在高效能设计中的常用选择。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(Id):最大100mA
漏源电压(Vds):最大100V
栅源电压(Vgs):最大±20V
导通电阻(Rds(on)):典型值为4.5Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-223
BSH111BK具有多个显著的性能特点。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的低功耗,提高了系统的整体效率。其次,该器件支持高达100V的漏源电压,使其能够在多种中高压应用中稳定工作。此外,BSH111BK的最大漏极电流为100mA,适合用于低至中等电流负载的控制。其栅源电压范围为±20V,具有较强的抗过压能力,同时兼容常见的栅极驱动电路。BSH111BK采用SOT-223封装,这种封装形式具有良好的热管理和空间利用率,适合在高密度PCB设计中使用。此外,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境下的可靠运行,适用于工业级和汽车级应用。
BSH111BK还具备快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高电路的动态响应能力。其高可靠性设计也使其在长期运行中表现出色,减少了因器件老化或失效带来的维护需求。该器件的栅极驱动要求较低,能够在较低的栅极电压下实现良好的导通性能,适合用于电池供电或其他低功耗系统。
BSH111BK因其高性能特性被广泛应用于多个领域。在电源管理系统中,它常用作负载开关或DC-DC转换器中的开关元件,以实现高效的能量转换。在电池供电设备中,如便携式电子产品、无线传感器和智能穿戴设备,BSH111BK用于控制电源的通断,从而延长电池寿命。此外,它还被用于工业控制系统中的信号切换和驱动电路,以提高系统的稳定性和响应速度。在汽车电子应用中,BSH111BK可用于车身控制模块、照明系统和车载充电设备,满足汽车环境下的高可靠性要求。其他典型应用包括电机驱动电路、LED驱动、继电器替代电路以及各类低功耗开关电路。
BSH111, BSH111N, BSS123, 2N7002