BSH108 时间：2025/5/9 19:15:58 阅读：11

BSH108是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于开关和放大电路中，特别是在需要低功耗、高效率的场合。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及其他类似的应用场景。
　　BSH108采用TO-92封装形式，便于安装和散热，同时其工作电压范围较宽，适用于多种电子设备。

参数

最大漏源电压：50V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：0.57A
　　导通电阻：4.5Ω
　　栅极电荷：3nC
　　总功耗：400mW
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

BSH108拥有非常低的导通电阻，这使得它在低电压应用中表现出色，能显著减少功率损耗。此外，该器件还具备快速的开关性能以及相对稳定的温度特性，能够在高温环境下持续稳定工作。
　　由于其小型化的TO-92封装设计，BSH108非常适合于空间受限的应用场合，并且能够提供良好的散热能力。另外，它的电气特性经过优化，确保了在高频切换条件下的高效表现。

应用

BSH108通常被用作开关元件，在便携式设备如手机充电器、电池管理系统等中发挥重要作用。此外，它也常见于各种类型的DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制电路以及其他需要高效功率管理的地方。
　　由于其耐高压特性和快速响应时间，该MOSFET还适用于某些通信设备中的信号调节任务，例如射频前端电路中的开关功能实现。