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BSH106 发布时间 时间:2025/9/14 23:37:13 查看 阅读:27

BSH106是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,用于实现高效的开关控制。该器件采用先进的技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):最大0.22Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

BSH106具备多项优异的电气和机械特性,使其在复杂的工作环境中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件具有高耐压能力,漏源电压可达60V,适用于多种中高功率应用场景。此外,BSH106的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V,确保了其在不同驱动条件下的稳定运行。
  该器件采用了TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,能够在较高温度下持续工作。同时,其热稳定性优秀,能够在过载和短路条件下提供可靠的保护。BSH106的高开关速度特性使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和PWM控制电路,从而减少了外部元件的需求并提高了整体设计的紧凑性。

应用

BSH106广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品。在电源管理系统中,它常用于高效能的开关元件,控制电源的通断和分配。在电机控制应用中,BSH106可以作为H桥结构中的关键器件,实现对电机方向和速度的精确控制。

替代型号

IRFZ44N, FDP6030L, BUK952N60E, IPD90N06S4-07

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