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BSH105.215 发布时间 时间:2025/9/14 17:50:29 查看 阅读:7

BSH105.215是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)、电机控制、负载开关以及电池供电设备等场景。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。BSH105.215通常采用SOT-223封装形式,适用于表面贴装技术,便于自动化生产和高效散热。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):27mΩ(最大)
  功率耗散(Ptot):1.4W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-223

特性

BSH105.215 MOSFET具备多项优异特性,首先是其低导通电阻(Rds(on))特性,典型值为27mΩ,这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其次,该器件采用了先进的沟槽结构技术,使得在保持高性能的同时,体积更加紧凑,适合对空间有严格要求的设计应用。
  此外,BSH105.215具有良好的热稳定性和较高的工作温度耐受能力,最大工作温度可达150°C,确保其在高温环境下仍能稳定运行。SOT-223封装不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程,提高生产效率。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的逻辑电平驱动(如5V或10V),便于与各类控制器或驱动电路配合使用。同时,其快速开关特性也有助于在高频开关应用中减少开关损耗,提升整体系统性能。

应用

BSH105.215主要应用于各种电源管理系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动以及工业自动化控制设备。在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理模块中也常使用该型号MOSFET。
  由于其优异的导通性能和热稳定性,BSH105.215也非常适合用于高效率电源适配器和LED照明驱动电路。此外,在汽车电子领域,该器件可用于车载电源系统、电动工具以及车载充电器等应用中。
  在工业控制领域,BSH105.215可用于PLC模块、伺服驱动器、传感器供电管理等场景,提供高效、稳定的功率控制能力。

替代型号

BSH105.215的替代型号包括FDMS86180、IRLML6402、Si4410BDY、BSC016N04LS5等,这些型号在封装、电气性能和应用场景上与BSH105.215相近,可根据具体设计需求进行选型替换。

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