时间：2025/9/14 5:34:50
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BSH103BKR 是一款由英飞凌（Infineon）推出的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件封装在小型化的PG-SOT23-3封装中，非常适合用于空间受限的应用。BSH103BKR具有较高的能效和可靠性，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、便携式设备等场合。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.3A
导通电阻(Rds(on))：@Vgs=4.5V时为22mΩ，@Vgs=2.5V时为29mΩ
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：PG-SOT23-3
BSH103BKR具有多项出色的电气和热性能特性。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别适合于需要高效能功率管理的场合。该器件支持较高的栅极电压（±12V），具有良好的栅极稳定性，能够承受瞬态电压波动。BSH103BKR采用小型SOT23封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于高密度PCB布局。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
在开关性能方面，BSH103BKR具有快速的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频应用，如DC-DC转换器和同步整流器。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路更加高效，减少控制器的负担。该器件还具备良好的温度稳定性，确保在不同工作温度下性能一致。
BSH103BKR的P沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，例如在负载开关、电池管理系统和电源分配系统中，能够实现高效的功率控制。同时，其紧凑的封装设计和优异的性能参数使其成为替代传统P沟道MOSFET的理想选择，尤其适合对尺寸和效率有较高要求的设计。
BSH103BKR广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见的应用包括负载开关、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）的电源管理模块。此外，该器件也可用于电机驱动、LED照明控制、工业自动化设备以及汽车电子系统中的高边开关应用。其高效能、小尺寸和高可靠性使其成为现代电子设计中的优选功率器件。
Si2301DS, BSS84P, FDMS3602, AO4407A
