BSH103215 时间：2025/9/14 14:35:20 阅读：4

BSH103215 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高效率功率应用中。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车电子系统。BSH103215 通常封装在PG-TDSON-8封装中，确保了在高电流负载下的稳定性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：12A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：PG-TDSON-8

特性

BSH103215 是一款性能优异的功率MOSFET，具备低导通电阻的特点，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其8.5mΩ的Rds(on)确保在高电流工作状态下仍能保持较低的导通压降，从而降低发热并提高可靠性。
　　此外，BSH103215 支持高达12A的连续漏极电流，使其适用于中高功率的开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。该器件的栅极电荷较低（Qg为14nC），有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗并提高系统效率。
　　该MOSFET还具有良好的热性能，采用PG-TDSON-8封装，能够在高功率密度设计中保持良好的散热能力。这种封装形式不仅节省空间，还提高了在高电流应用中的稳定性。
　　BSH103215 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业和汽车电子等严苛环境条件下的应用。这使其成为车载电子系统、工业自动化设备和电源管理系统中的理想选择。
　　此外，该器件具有较高的短路耐受能力，可在异常工作条件下提供更强的保护性能。这有助于提高系统的整体稳定性和可靠性，减少因过载或短路引起的故障风险。

应用

BSH103215 MOSFET主要应用于功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于高效率的电源管理系统。
　　在汽车电子领域，BSH103215 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统中的电源管理模块。其宽广的工作温度范围和高可靠性使其在车载环境下表现出色。
　　在工业应用中，该MOSFET适用于自动化控制系统、伺服电机驱动器和工业电源设备。由于其出色的开关性能和热稳定性，可以在高负载条件下保持稳定的运行状态。
　　此外，BSH103215 还可用于电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源和光伏逆变器等新能源领域。其低功耗和高效率特性有助于提高能源利用效率，满足绿色能源系统的需求。
　　对于消费类电子产品，该器件可应用于笔记本电脑电源适配器、智能电源插座和LED照明系统中的开关电源模块。其小封装和高性能使其成为空间受限应用的理想选择。