时间：2025/12/28 21:14:12
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BSFE75G06是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。这款MOSFET设计用于高效能的电源转换系统，例如DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用。BSFE75G06采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
BSFE75G06的一个显著特性是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。此外，这款MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。其高开关速度使得BSFE75G06非常适合用于高频开关应用，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。BSFE75G06还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定。
该器件的封装设计优化了散热性能，通常采用TO-247或类似的高功率封装形式，以确保在高电流应用中能够有效散热。此外，BSFE75G06具有较高的耐用性和可靠性，适合在工业和汽车电子系统中使用。
BSFE75G06广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统、电机控制电路、逆变器以及电动汽车的电力电子系统。由于其高效的功率处理能力和良好的热管理特性，BSFE75G06在需要高性能功率管理的场合中表现出色。
SiHF75N60E、IRF75N60HD、STF75N60DM2
