时间：2025/5/22 10:50:40
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BSD840N H6327 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点。
该芯片的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，非常适合需要紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：1.9A
导通电阻(Rds(on))：0.55Ω（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：2.5nC（典型值）
开关时间：ton=8ns，toff=15ns（典型值）
BSD840N H6327 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力，能够满足多种功率级别的需求。
4. 小型化的 SOT-23 封装设计，节省电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 可靠性高，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（-55°C 至 +150°C）。
这款 MOSFET 常用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 各类便携式电子设备中的功率控制。
5. 电机驱动和保护电路。
6. LED 照明驱动电路。
AO3400
IRLML6402
FDS8447
