BSD5C031V 是一款 N 沣道通体二极管(N-Channel Trench Schottky Rectifier),由 ON Semiconductor 生产。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低正向压降、快速恢复特性和高效率的特点。它广泛应用于开关电源、电机驱动器和工业控制等领域,适合高频整流应用。
型号:BSD5C031V
类型:肖特基二极管
封装:TO-263 (DPAK)
最大正向电流(IF):30A
最大反向电压(VR):30V
正向压降(VF,典型值):0.37V @ 15A
反向漏电流(IR):20mA @ 25°C
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
热阻(RθJA):40°C/W
BSD5C031V 的主要特点是采用了沟槽肖特基技术,这种技术能够显著降低正向导通损耗并提高系统效率。
1. 高电流密度设计:支持高达 30A 的连续正向电流,适用于大功率应用。
2. 超低正向压降:在典型工作条件下,正向压降仅为 0.37V,可减少功率损耗。
3. 快速恢复时间:由于是肖特基二极管,其恢复时间为零,非常适合高频开关电路。
4. 热稳定性强:能够在高达 175°C 的结温下稳定工作,确保高温环境下的可靠性。
5. 小型化封装:TO-263 封装提供紧凑的解决方案,同时具备良好的散热性能。
这些特性使得 BSD5C031V 成为高效能电力电子设备的理想选择。
BSD5C031V 主要应用于需要高效整流和低功耗的场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的次级整流。
2. 电机驱动电路中的续流二极管。
3. 太阳能逆变器中的同步整流。
4. 工业自动化设备中的电源转换模块。
5. 通信设备和消费类电子产品中的高频整流电路。
由于其出色的性能和可靠性,BSD5C031V 在上述领域中表现出色,能够满足现代电子设备对效率和小型化的要求。
MBR30U30CT, STPS30H30CW, SR3060