时间：2025/5/24 13:57:02
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BSC500N20NS3G是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。其主要特点是低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能功率转换应用。
该器件广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器等领域，能够在高频条件下实现高效的功率传输。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：500A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：175nC
开关时间：开通延迟时间 45ns，关断下降时间 25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
BSC500N20NS3G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电压（200V），能够承受较高的电压波动，确保在恶劣环境下的稳定运行。
3. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 内置反并联二极管，支持续流路径，特别适合于电机驱动等需要快速换向的应用。
5. 优异的热稳定性，允许器件在高温环境下长时间工作而不影响性能。
6. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
这些特性使该器件成为工业及消费电子领域中高性能功率控制的理想选择。
BSC500N20NS3G适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. DC-DC转换器
5. 不间断电源（UPS）
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
由于其卓越的电气特性和可靠性，该器件在需要高效率、高功率密度的场合表现出色。
BSC500N20LS_G, IRFP260N, STP500N20F5
