时间：2025/5/10 18:00:37
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BSC430N25NSFD 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 CoolMOS 系列。这款 MOSFET 采用了先进的技术以实现低导通电阻和高开关速度，适用于各种高效能开关应用。其设计主要用于高频 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动和逆变器等领域。
该器件具有 2500V 的高雪崩击穿电压（BVdss），能够在恶劣的电气环境下保持稳定工作。同时，它的低栅极电荷和输出电容特性确保了高效的开关性能，从而减少功率损耗。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（典型值）：1.4Ω
栅极电荷：18nC
功耗：27W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
BSC430N25NSFD 提供卓越的热性能和电气性能。它采用 TO-252 封装形式（也称为 DPAK），这种封装方式允许较高的散热效率，非常适合表面贴装工艺。
此外，由于其较低的 Rds(on) 和优化的开关特性，使得该器件在高频应用中表现出色，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
器件还具备出色的 ESD 防护能力，提高了整体可靠性。通过结合英飞凌的 CoolMOS 技术，这款 MOSFET 在硬开关和软开关拓扑结构中均展现出优异的表现。
BSC430N25NSFD 广泛应用于需要高效能功率转换的场景，例如：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 工业控制设备中的电机驱动
4. 光伏逆变器
5. 家用电器及消费类电子产品的电源管理模块
6. LED 驱动电路
由于其高耐压能力和快速开关性能，这款 MOSFET 特别适合要求紧凑设计且需要低能耗解决方案的应用场合。
BSC430N25NS3
BSC430N25NS5
