BSC320N20NS3G 时间：2025/5/8 14:37:04 阅读：18

BSC320N20NS3G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSOT-33 封装形式。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种功率转换应用。其最大耐压为 200V，持续漏极电流为 3.6A（@Tc=25°C），并具有增强型逻辑电平栅极驱动兼容性，方便在低压系统中使用。
　　该器件非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、逆变器以及电信电源等应用领域。

参数

最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：3.6A (Tc=25°C)
　　导通电阻(Rds(on))：4.5Ω (典型值，Vgs=10V)
　　栅极电荷(Qg)：9nC (典型值)
　　输入电容(Ciss)：800pF (典型值)
　　总功耗(Ptot)：25W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C

特性

BSC320N20NS3G 具备以下特点：
　　1. 高耐压能力（200V）使其适合高压应用场景；
　　2. 极低的导通电阻（4.5Ω 典型值），有助于降低导通损耗，提升效率；
　　3. 快速开关性能，栅极电荷仅为 9nC（典型值），适合高频开关应用；
　　4. 增强型逻辑电平驱动支持，允许较低的栅极驱动电压即可实现完全开启；
　　5. SuperSOT-33 封装设计，体积小且散热性能优越，便于 PCB 布局和安装；
　　6. 工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

BSC320N20NS3G 的典型应用包括：
　　1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的主开关管；
　　2. 降压/升压 DC-DC 转换器的核心功率器件；
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载控制或保护电路；
　　4. 各类小型电机驱动器的功率输出级；
　　5. 电信及网络设备中的辅助电源模块；
　　6. 家用电器和工业自动化设备中的功率控制单元。