时间：2025/4/30 9:04:23
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BSC22DN20NS3 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。这款器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种功率转换应用。其额定电压为 200V，连续漏极电流可达 22A（在特定条件下）。BSC22DN20NS3 专为要求高性能、高可靠性的工业及汽车应用而设计。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：22A
导通电阻（典型值）：16mΩ
栅极电荷（典型值）：87nC
开关频率：高达 100kHz
结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TOLL
BSC22DN20NS3 具有非常低的导通电阻，从而降低了传导损耗，提高了整体系统效率。其优化的栅极电荷使得开关损耗也得以降低，适合高频工作环境。
该器件采用了英飞凌先进的 CoolMOS 技术，具备出色的热性能和电气性能。此外，TOLL 封装提供了一个紧凑且高效的解决方案，支持更高的功率密度。
BSC22DN20NS3 的高雪崩能力增强了其在严苛条件下的可靠性，并且它还具有快速恢复体二极管，能够在反向恢复期间保持较低的损耗。
由于其高耐压和大电流承载能力，这款 MOSFET 可以在各种复杂环境中稳定运行，同时满足高效能与高可靠性的双重需求。
BSC22DN20NS3 广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中。其强大的性能使其成为需要高效率和高功率处理能力的理想选择。此外，由于其宽广的工作温度范围，该器件也非常适合于汽车电子领域中的各类功率控制模块。
BSC22DN20LS3
BSC22GN20NS3
