时间：2025/6/12 17:09:12
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BSC146N10LS5 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 OptiMOS 技术。该器件主要应用于高效能开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高频应用环境。
这款 MOSFET 的封装形式为 SuperSO8，有助于提高散热性能并降低寄生电感，从而优化系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：73A
导通电阻（典型值，@Vgs=10V）：2.5mΩ
栅极电荷（Qg）：94nC
反向恢复时间（trr）：35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
BSC146N10LS5 具有非常低的导通电阻，这使得它的传导损耗极小，非常适合大电流的应用场景。此外，其快速的开关特性和低栅极电荷能够显著减少开关损耗，提升整体系统的效率。
由于采用了先进的 OptiMOS 技术，该器件在高频工作条件下表现出色，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
SuperSO8 封装的设计也增强了电气性能和机械强度，降低了寄生效应的影响。这些特点共同确保了 BSC146N10LS5 在多种工业和汽车应用中的卓越表现。
BSC146N10LS5 广泛用于需要高效功率转换的场合，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动汽车及混合动力汽车的电力电子系统
这款 MOSFET 的高电流承载能力和低损耗特性使其成为上述应用的理想选择。
BSC145N10NS5
BSC140N10LS5
