您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSC100N10NSF G

BSC100N10NSF G 发布时间 时间:2025/7/10 16:28:18 查看 阅读:14

BSC100N10NSF G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SuperSO8 封装,适用于高频开关和功率转换应用。其设计优化了导通电阻与栅极电荷的平衡,从而在高效率和快速切换之间实现优异性能。
  BSC100N10NSF G 的额定电压为 100V,典型导通电阻低至 5.5mΩ(在 Vgs=10V 时)。这种特性使得它非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率管理的应用场景。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(Vgs=10V)
  栅极电荷:26nC
  总栅极电荷:35nC
  输入电容:1970pF
  输出电容:1040pF
  反向传输电容:320pF
  功耗:13W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BSC100N10NSF G 具有以下显著特性:
  1. 高效的导通性能,导通电阻低至 5.5mΩ,减少了导通损耗。
  2. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷和输出电容,适合高频应用。
  3. 工作温度范围广,能够承受 -55°C 至 +175°C 的极端环境条件。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 内置防静电保护功能,增强了器件的可靠性。
  6. SuperSO8 封装形式,提供良好的散热性能和电气连接。

应用

这款 MOSFET 器件广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中作为功率级元件。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 逆变器和其他需要高效功率转换的应用。
  BSC100N10NSF G 的高性能表现使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

BSC100N10NS3, IRFZ44N, FDP150N10A

BSC100N10NSF G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BSC100N10NSF G参数

  • 数据列表BSC100N10NSF G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 110µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 50V
  • 功率 - 最大156W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC100N10NSF G-NDBSC100N10NSF GTRSP000379595