时间：2025/7/10 16:28:18
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BSC100N10NSF G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SuperSO8 封装，适用于高频开关和功率转换应用。其设计优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，从而在高效率和快速切换之间实现优异性能。
BSC100N10NSF G 的额定电压为 100V，典型导通电阻低至 5.5mΩ（在 Vgs=10V 时）。这种特性使得它非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率管理的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：42A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（Vgs=10V）
栅极电荷：26nC
总栅极电荷：35nC
输入电容：1970pF
输出电容：1040pF
反向传输电容：320pF
功耗：13W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BSC100N10NSF G 具有以下显著特性：
1. 高效的导通性能，导通电阻低至 5.5mΩ，减少了导通损耗。
2. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电容，适合高频应用。
3. 工作温度范围广，能够承受 -55°C 至 +175°C 的极端环境条件。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 内置防静电保护功能，增强了器件的可靠性。
6. SuperSO8 封装形式，提供良好的散热性能和电气连接。
这款 MOSFET 器件广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中作为功率级元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 逆变器和其他需要高效功率转换的应用。
BSC100N10NSF G 的高性能表现使其成为这些应用的理想选择。
BSC100N10NS3, IRFZ44N, FDP150N10A
