BSC100N06LS3G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP 技术,具有低导通电阻和高开关性能的特点,适用于各种高效能电源管理应用。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及逆变器等领域。
BSC100N06LS3G 的最大额定电压为 60V,适合中低压应用场景,并且其封装形式为 TO-Leadless(TOLL),具备良好的散热性能和紧凑的设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:100A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(典型值):84nC
开关频率:高达 1MHz
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-Leadless (TOLL)
工作温度:-55°C 至 +150°C
BSC100N06LS3G 的主要特点是其低导通电阻和快速开关能力,这使其非常适合于高效率功率转换应用。具体特性如下:
1. 极低的导通电阻(RDS(on))降低了传导损耗,从而提高了整体效率。
2. 高电流承载能力(100A 连续漏极电流)使得它可以用于大功率场景。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,有助于提高高频下的效率。
4. TOLL 封装提供出色的热性能和电气性能,同时减小了 PCB 占用面积。
5. 具备反向恢复电荷低的体二极管,优化了同步整流和续流二极管应用中的表现。
6. 符合 RoHS 标准,环保设计。
BSC100N06LS3G 可用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制器和 DC-DC 转换器。
2. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
3. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 各类消费电子产品中的负载开关和保护电路。
6. 通信设备中的高效功率管理模块。
BSC095N06LS3G, BSC110N06LS3G