时间：2025/6/14 11:10:15
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BSC100N06LS3 G是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，采用TOLL封装形式。该器件主要应用于高效率、高频开关场景，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电源管理等应用中。其设计基于英飞凌的OptiMOS技术，具有低导通电阻、快速开关特性和卓越的热性能。
这款MOSFET的额定电压为60V，最大连续漏极电流可达100A，适用于要求高性能和高可靠性的工业及汽车领域。
额定电压：60V
最大连续漏极电流：100A
导通电阻（典型值，25°C）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg，典型值）：84nC
反向恢复时间（trr，典型值）：27ns
工作结温范围：-55°C至175°C
封装形式：TOLL
BSC100N06LS3 G的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下具备出色的效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
4. 出色的热性能，有助于提升整体系统可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的设计需求。
6. TOLL封装提供高效的散热能力和较小的寄生电感，特别适合大功率应用。
7. 广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行。
BSC100N06LS3 G适用于以下应用场景：
1. 工业和汽车级DC-DC转换器。
2. 高效电机驱动控制电路。
3. 各种负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）。
5. 逆变器和不间断电源（UPS）中的功率级元件。
6. 其他需要高电流、高效能和快速响应的电力电子系统。
BSC092N06LS3 G, BSC110N06LS3 G
