时间：2025/4/30 20:18:36
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BSC097N06NST 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用超薄小外形晶体管 (SOT-893) 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能、紧凑型应用。它主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的电源管理电路。
该芯片通过优化的制造工艺实现了较低的导通损耗和开关损耗，同时其出色的热性能有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：9.7mΩ
栅极电荷：12nC
开关时间：典型值 8ns
封装形式：SOT-893
BSC097N06NST 的主要特点是低导通电阻，这可以显著减少功率损耗并提升系统效率。此外，其小型化的 SOT-893 封装使得该器件非常适合空间受限的应用场景。同时，该 MOSFET 具备快速的开关速度，能够在高频工作条件下保持较高的效能。
该产品还具有良好的雪崩能力与静电防护性能，从而增强了器件在实际应用中的可靠性。
BSC097N06NST 的低栅极电荷设计进一步降低了驱动功耗，并提升了动态性能。总体而言，这款 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高效能量转换的场合。
BSC097N06NST 广泛应用于各类需要高效功率转换便携式设备中的负载开关、电池管理系统、LED 驱动器、DC-DC 转换器及多相供电模块等。
由于其低导通电阻和紧凑封装，它特别适合手机、平板电脑和其他移动电子产品中的电源管理单元。此外，在汽车电子领域中，如信息娱乐系统或辅助驾驶系统内，也可以见到 BSC097N06NST 的身影。
BSC097N06NS3, IRF7846TRPBF, FDS8945AN
