BSC097N06NST 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用超薄小外形晶体管 (SOT-893) 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能、紧凑型应用。它主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的电源管理电路。
该芯片通过优化的制造工艺实现了较低的导通损耗和开关损耗,同时其出色的热性能有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:9.7mΩ
栅极电荷:12nC
开关时间:典型值 8ns
封装形式:SOT-893
BSC097N06NST 的主要特点是低导通电阻,这可以显著减少功率损耗并提升系统效率。此外,其小型化的 SOT-893 封装使得该器件非常适合空间受限的应用场景。同时,该 MOSFET 具备快速的开关速度,能够在高频工作条件下保持较高的效能。
该产品还具有良好的雪崩能力与静电防护性能,从而增强了器件在实际应用中的可靠性。
BSC097N06NST 的低栅极电荷设计进一步降低了驱动功耗,并提升了动态性能。总体而言,这款 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高效能量转换的场合。
BSC097N06NST 广泛应用于各类需要高效功率转换便携式设备中的负载开关、电池管理系统、LED 驱动器、DC-DC 转换器及多相供电模块等。
由于其低导通电阻和紧凑封装,它特别适合手机、平板电脑和其他移动电子产品中的电源管理单元。此外,在汽车电子领域中,如信息娱乐系统或辅助驾驶系统内,也可以见到 BSC097N06NST 的身影。
BSC097N06NS3, IRF7846TRPBF, FDS8945AN