时间：2025/6/11 17:48:36
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BSC093N15NS5SC 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 150V，连续漏极电流可达 9.3A（在 25°C 下），非常适合于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及工业控制等应用领域。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：9.3A
导通电阻：17mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：16nC（典型值）
总电容：180pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
BSC093N15NS5SC 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 热性能优越，能够在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 小型化封装 TOLL，节省 PCB 空间。
BSC093N15NS5SC 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制，例如步进电机和无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 工业自动化设备中的电源管理。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. LED 驱动电路。
6. 各类负载开关和保护电路。
BSC096N15NS5, IRFZ44N, FQP18N15
