时间：2025/6/26 9:25:33
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BSC093N04LS 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 OptiMOS 技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等应用。
该芯片的主要特点是其卓越的热性能和坚固的设计，使其能够适应各种严苛的工作环境。此外，它采用紧凑型封装设计，有助于节省 PCB 空间。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：2000pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
BSC093N04LS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 内置 ESD 保护，提高了抗静电能力。
5. 小型化封装设计，支持更高效的功率密度布局。
6. 工作温度范围宽广，适用于极端环境下的应用。
7. 符合 AEC-Q101 标准，满足汽车级使用需求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
4. 汽车电子中的负载切换与控制。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
BSC098N04LS
BSC095N04LS
