时间：2025/5/8 12:14:35
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BSC0921NDI是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电路中。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于中小功率的应用场景。
该MOSFET的主要特点是其低栅极电荷和优化的导通电阻性能，可以显著降低开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：0.65Ω
栅极电荷：7nC
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 高可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 提供出色的ESD防护能力，增强器件的抗干扰性能。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统的保护电路。
4. 小型电机驱动及负载切换控制。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
BSC0921LT3G, AO3401A, FDN340P
