BSC0909NS 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于英飞凌 (Infineon) 的 OptiMOS 系列。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统。
该器件采用先进的制造工艺,能够提供卓越的效率和可靠性。其封装形式为 SO8,具有良好的散热性能和紧凑的设计,便于在空间受限的应用中使用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:7.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
总栅极电荷:16nC(典型值)
开关时间:ton=12ns,toff=25ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高开关速度使得 BSC0909NS 在高频应用中表现出色,同时降低了开关损耗。
3. 内置反向恢复电荷较低,从而减少了开关节点的振荡。
4. 具有出色的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局优化。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动应用,包括无刷直流电机控制。
3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子中的多种功率控制场景,如车身控制模块和照明系统。
BSC0909NSL, IPB014N03L, FDMC8810