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BSC0902NS 发布时间 时间:2025/4/28 18:23:08 查看 阅读:2

BSC0902NS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小尺寸封装(SOT-23),广泛应用于便携式设备、开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频条件下高效工作。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻(典型值):0.085Ω
  总功耗:450mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23

特性

BSC0902NS 的主要特性包括低导通电阻,能够显著减少功率损耗;具备较高的开关速度,适用于高频应用;同时其小型化 SOT-23 封装设计使其非常适合空间受限的电路设计。此外,它还具有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下也能保持稳定的性能。
  由于采用了先进的制造工艺,BSC0902NS 的栅极电荷较低,有助于降低驱动损耗,并且在高频率切换时仍然可以维持较高的效率。

应用

BSC0902NS 主要用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的负载开关
  2. 开关模式电源(SMPS)
  3. DC-DC 转换器
  4. 电池保护电路
  5. 各类消费类电子产品中的小型功率管理模块
  6. 通信设备中的信号切换与控制
  7. 电机驱动及照明系统中的低侧开关

替代型号

BSS138, AO3400, SI2302DS

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BSC0902NS参数

  • 数据列表BSC0902NS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC0902NSTRSP000800246