时间：2025/5/9 18:08:27
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BSC088N15LS5 是一款由 Infineon（英飞凌）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高频开关应用。它采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式，适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 150V，连续漏极电流可达 8.8A（在 25°C 时）。其典型导通电阻 RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 0.23Ω，从而减少了功率损耗并提高了效率。
最大漏源电压(V_DS)：150V
连续漏极电流(I_D)：8.8A
导通电阻(R_DS(on))：0.23Ω（V_GS=10V时）
栅极电荷(Q_g)：17nC
输入电容(C_iss)：1040pF
总功耗(P_TOT)：1.6W
工作温度范围(T_A)：-55℃至+150℃
BSC088N15LS5 具有以下主要特点：
1. 超低的导通电阻 RDS(on)，降低了导通损耗。
2. 快速开关性能，支持高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 较低的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss，有助于减少驱动损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。装封装，便于自动化生产和小型化设计。
这些特性使得 BSC088N15LS5 成为许多电源管理、电机控制和其他工业应用的理想选择。
BSC088N15LS5 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 各类电机驱动和控制电路。
3. LED 照明驱动器中的高效功率转换。
4. 工业逆变器和 UPS 系统中的关键组件。
5. 汽车电子系统中的负载开关和电池保护。
由于其出色的性能和可靠性，该器件特别适合于需要紧凑设计和高效率的应用场景。
BSC090N15NS5
BSC080N15LS5
