时间：2025/7/9 23:30:03
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BSC072N04LD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件采用超薄小外形晶体管封装（UT-SON 8），具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于要求高效能和节省空间的应用场景。
这款MOSFET主要设计用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用中。由于其低导通电阻特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：19A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：26nC
总电容：1450pF
功耗：3.6W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
BSC072N04LD采用了CoolMOS技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（2.5mΩ），从而减少导通状态下的功率损耗。
2. 高效的热性能，使其能够在高电流密度下保持稳定运行。
3. UT-SON 8封装形式，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。
4. 支持高频开关操作，适用于开关电源和DC-DC转换器等高频应用。
5. 具备出色的可靠性和耐用性，能够在宽广的工作温度范围内正常运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
BSC072N04LD广泛应用于需要高效功率控制的领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关，用于控制不同电路模块之间的电力传输。
5. 电池管理系统中的保护和切换功能。
6. 各类便携式电子设备如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
BSC062N04LS G, BSC063N04LS G, IPD060N04L-02
