时间：2025/5/23 2:30:57
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BSC070N10LS5是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄封装，适用于高效率、高密度的功率转换应用。其设计优化了导通电阻和开关性能，在低电压应用中表现出色。
BSC070N10LS5采用了OptiMOS 5技术，提供卓越的RDS(on)特性和较低的栅极电荷（Qg），从而显著降低了传导和开关损耗。此外，该器件具备出色的热性能和耐用性，适合于严苛的工作环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：10V
最大连续漏电流(Id)：94A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：0.7mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：47nC（典型值）
输入电容(Ciss)：3680pF（典型值）
反向传输电容(Crss)：390pF（典型值）
总电容(Coss)：870pF（典型值）
结温范围：-55℃至175℃
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
2. 采用OptiMOS 5技术，具有更高效的开关性能。
3. 高电流处理能力（高达94A），适合大功率应用。
4. 极低的栅极电荷（Qg），可降低开关损耗。
5. 优化的热阻设计，提升散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保且无卤素。
7. 耐用性强，能够在恶劣环境下稳定工作。
8. 支持快速开关操作，适用于高频应用。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
3. 电动车辆和工业电机驱动控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
5. 通信设备中的负载开关。
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
7. 各类高效能、低电压的功率管理电路。
BSC064N10NS5, BSC085N10LS5
