BSC066N06NS是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于需要高效功率转换的场景中,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其封装形式为TO-Leadless(TOLL),适合表面贴装,提供出色的散热性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:6.6A
导通电阻:75mΩ
栅极电荷:31nC
总电容:2400pF
工作结温范围:-55℃至175℃
封装:TOLL
BSC066N06NS具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频应用场合。
3. 内置反向恢复二极管,可减少开关过程中的反向电流影响。
4. 支持高温操作,确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 小型化封装设计,节省PCB空间并提高散热效率。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
BSC066N06NS适用于多种电力电子应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压转换。
3. 电动工具和小型家电中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 新能源领域中的电池管理系统(BMS)和逆变器组件。
BSC068N06NS, IPS66R099PFDG