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BSC066N06NS 发布时间 时间:2025/5/31 2:23:45 查看 阅读:8

BSC066N06NS是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于需要高效功率转换的场景中,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其封装形式为TO-Leadless(TOLL),适合表面贴装,提供出色的散热性能。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:6.6A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:31nC
  总电容:2400pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装:TOLL

特性

BSC066N06NS具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用场合。
  3. 内置反向恢复二极管,可减少开关过程中的反向电流影响。
  4. 支持高温操作,确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间并提高散热效率。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

BSC066N06NS适用于多种电力电子应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压转换。
  3. 电动工具和小型家电中的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 新能源领域中的电池管理系统(BMS)和逆变器组件。

替代型号

BSC068N06NS, IPS66R099PFDG

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