BSC059N04LSG 时间：2025/5/15 12:20:11 阅读：3

BSC059N04LSG 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理电路。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 SuperSO8，支持表面贴装技术（SMT），非常适合用于需要紧凑型设计的电子设备中。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大连续漏极电流：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　栅极电荷：27nC（典型值）
　　总功耗：2.3W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：SuperSO8

特性

BSC059N04LSG 的核心优势在于其极低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，它还具备快速开关性能，能够有效降低开关损耗。器件内部集成了一个二极管，可以提供反向电池保护功能。同时，该器件具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的运行。
　　此外，BSC059N04LSG 符合 RoHS 标准，并通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车级应用。它的短路耐受能力较强，能够在极端条件下提供额外的安全保障。
　　得益于其紧凑的 SuperSO8 封装，该器件非常适合用于空间受限的设计环境。同时，其低电感设计有助于减少寄生效应，从而提升系统性能。

应用

BSC059N04LSG 广泛应用于各类功率转换和控制场景，例如：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC 转换器
　　- 电机驱动电路
　　- 电池管理系统（BMS）
　　- 工业自动化控制
　　- 汽车电子系统中的负载开关和保护电路
　　- 通信设备中的功率管理模块
　　由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在消费电子、工业以及汽车市场中均表现出色。