时间：2025/5/7 11:53:42
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BSC057N08NS3 G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它主要适用于需要高效能功率转换的应用场景，如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等。该器件的封装形式为 DPAK (TO-252)，适合表面贴装工艺。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：5.7mΩ
栅极电荷（典型值）：6nC
输入电容（典型值）：1190pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
BSC057N08NS3 G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 采用无铅封装，符合环保要求。
5. 小型化设计，有助于节省 PCB 空间。
6. 可靠性高，能在恶劣环境下长期稳定运行。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括适配器和充电器。
2. 电机驱动控制电路，例如家用电器中的电机驱动。
3. DC-DC 转换器，用于汽车电子或工业自动化设备。
4. 各种电池管理系统的功率路径控制。
5. 固态继电器和其他需要高效开关操作的场合。
BSC058N08NS3 G, IRF840, FDP057AN
