时间：2025/6/30 8:41:53
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BSC054N04NS 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用。其小型化的封装设计使得它在空间受限的应用中非常有用。
该器件的额定电压为 40V，持续漏极电流可达 5.4A（在特定条件下），并且具备快速开关性能，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（典型值，在 Vgs=>总功耗：1.8W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
BSC054N04NS 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；具备出色的热稳定性，确保在高温环境下也能可靠运行。
此外，该 MOSFET 具有较低的输入电容和输出电容，这使其能够在高频开关应用中表现出色。器件还支持快速体二极管恢复时间，从而进一步降低了开关过程中的能量损失。
通过优化的封装设计，这款 MOSFET 提供了更佳的散热性能，并且与传统封装相比，其占板面积更小，非常适合紧凑型设计。
BSC054N04NS 广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。具体应用包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电信设备中的功率转换模块以及各种负载切换场景。
由于其较高的效率和可靠性，这款 MOSFET 也特别适用于需要长时间稳定工作的系统，例如服务器电源、不间断电源（UPS）以及电动工具中的功率管理部分。
BSC056N04LS, BSC050N06NS
