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BSC050NE2LS 发布时间 时间:2025/4/28 17:20:51 查看 阅读:17

BSC050NE2LS 是一款 N 沱沟道功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式通常为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)组装。这款 MOSFET 在高效能、紧凑型设计中表现优异,能够满足现代电子设备对功率效率和可靠性的要求。
  该器件的工作电压范围较宽,适用于各种直流电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:58nC
  总电容:2050pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSC050NE2LS 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 41A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,栅极电荷较小,从而降低开关损耗。
  4. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场。
  6. 封装形式为 TO-263,具备良好的热特性和机械强度。

应用

BSC050NE2LS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. 通信电源、不间断电源(UPS)以及其他需要高效功率管理的应用。
  5. 各种 DC-DC 转换器,包括降压和升压拓扑结构。
  6. 汽车电子系统中的功率控制单元。

替代型号

BSC050N06NS3
  BSC050NE2LSS
  IRLB8729PBF

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BSC050NE2LS参数

  • 数据列表BSC050NE2LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C58A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 12V
  • 功率 - 最大28W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC050NE2LS-NDBSC050NE2LSATMA1SP000756340