BSC050NE2LS 是一款 N 沱沟道功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式通常为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)组装。这款 MOSFET 在高效能、紧凑型设计中表现优异,能够满足现代电子设备对功率效率和可靠性的要求。
该器件的工作电压范围较宽,适用于各种直流电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:41A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:58nC
总电容:2050pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
BSC050NE2LS 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 41A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,栅极电荷较小,从而降低开关损耗。
4. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场。
6. 封装形式为 TO-263,具备良好的热特性和机械强度。
BSC050NE2LS 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 通信电源、不间断电源(UPS)以及其他需要高效功率管理的应用。
5. 各种 DC-DC 转换器,包括降压和升压拓扑结构。
6. 汽车电子系统中的功率控制单元。
BSC050N06NS3
BSC050NE2LSS
IRLB8729PBF