您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSC050N03LSG

BSC050N03LSG 发布时间 时间:2025/6/18 16:37:32 查看 阅读:4

BSC050N03LSG是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TOLL封装形式,适用于高功率密度应用场合。它属于OptiMOS 5系列产品,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特性,广泛应用于服务器电源、电信整流器、DC-DC转换器以及电池充电器等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):0.47mΩ
  栅极电荷(典型值):129nC
  输入电容(典型值):4880pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TOLL

特性

BSC050N03LSG采用了先进的沟槽技术,能够提供非常低的导通电阻,从而减少传导损耗并提高整体系统效率。
  此外,该器件还具备快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗。
  TOLL封装设计可以显著提升散热性能,并支持更高的电流密度。
  其出色的可靠性和稳定性使其非常适合要求严苛的工业及汽车级应用环境。
  BSC050N03LSG在高温环境下仍能保持优异的表现,这得益于其宽广的工作结温范围。

应用

BSC050N03LSG主要应用于需要高效功率转换的领域,例如:
  1. 服务器和数据中心的AC-DC电源模块
  2. 通信设备中的整流器和逆变器
  3. 高端DC-DC转换器
  4. 电动汽车充电桩的核心功率级
  5. 大功率电机驱动电路
  6. 工业自动化中的开关电源解决方案

替代型号

BSC045N03LSG
  BSC055N03LSG
  IRFH7338TRPBF
  FDP16N03L

BSC050N03LSG推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BSC050N03LSG资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

BSC050N03LSG参数

  • 数据列表BSC050N03LS G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 30A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)2800pF @ 15V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC050N03LSG BSC050N03LSGINTR BSC050N03LSGXT SP000269785