时间：2025/5/10 10:42:46
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BSC050N03LS G 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沱道 场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的电源转换和电机驱动应用。BSC050N03LS G 提供了卓越的热性能和电气特性，使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-Leadless（TOLL），有助于实现更小的占板面积和更高的散热效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：26nC（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-Leadless（TOLL）
BSC050N03LS G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力（高达 50A），满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源、DC-DC 转换器等应用。
4. 采用 TO-Leadless 封装，提供优越的热性能和紧凑的设计。
5. 广泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
BSC050N03LS G 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具中的电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电源管理
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 家用电器的高效功率转换模块
BSC048N03LS G, IRF3710, FDP057N03L
