时间：2025/4/28 17:55:41
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BSC040N10NS5 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道开关 MOSFET，采用 SMD 封装形式。该器件主要应用于需要高效能和低导通损耗的场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等。它具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适合在高频和高效率要求的应用中使用。
这款 MOSFET 的核心技术是基于英飞凌先进的沟槽式 MOSFET 工艺，使其具备了卓越的热性能和电气性能，同时能够满足各种工业和消费类电子产品的设计需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：260pF
最大功耗：1.9W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
BSC040N10NS5 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，得益于其较小的栅极电荷和输出电荷，非常适合高频应用。
3. 提供出色的热稳定性，能够在高温环境下长期运行。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间，便于实现紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，无铅设计。
6. 具备优异的雪崩能力和 ESD 防护能力，增强了器件的可靠性。
这些特性使得 BSC040N10NS5 成为众多高性能电路的理想选择。
BSC040N10NS5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，用于笔记本电脑、平板电脑及手机充电器。
3. 各种电机驱动器，如步进电机和直流无刷电机控制。
4. LED 驱动电路，提供高效的调光和亮度调节功能。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车或储能系统的电池充放电控制。
由于其优良的电气特性和封装形式，BSC040N10NS5 在上述应用场景中表现出色。
BSC040N10NS3, BSC040N10NS4
