时间：2025/5/22 12:07:56
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BSC036NE7NS3 G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET功率晶体管，采用先进的沟槽技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于各种电源转换和电机驱动应用中。它属于OptiMOS系列，设计用于提高效率并减少功率损耗。
该MOSFET的主要特点是其额定电压为700V，使其适合高压环境下的应用。同时，它还具有较低的栅极电荷和输出电荷，这有助于提升系统效率并降低开关损耗。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：820mΩ
栅极电荷：15nC
总电容（Ciss）：450pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高电压耐受能力，适用于工业和汽车应用中的高压场景。
2. 极低的导通电阻，确保在高负载条件下保持高效运行。
3. 快速开关性能，能够显著降低开关损耗，提升整体效率。
4. 优秀的热稳定性，即使在极端温度环境下也能保持稳定的工作状态。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 小型封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
BSC036NE7NS3 G 主要应用于需要高效率和高可靠性的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器和充电器。
2. 电机驱动器，例如家用电器中的小型电机控制。
3. 荧光灯和LED照明驱动电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
6. 汽车电子领域，如电动车窗、座椅调节等辅助系统。
BSC036NE7MS3 G, BSC036N07NS3
