BSC031N06NS3G是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用N沟道增强型结构,适用于多种功率转换和开关应用。它具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能等特点,广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
BSC031N06NS3G的设计目标是提供高效的功率管理解决方案,其封装形式为TO-252 (DPAK),有助于简化PCB布局并提高散热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:31A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:18nC
总功耗:19W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
BSC031N06NS3G具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
2. 高额定电流能力(Id = 31A),使其适用于大功率应用。
3. 超薄的TO-252封装设计,占用较小的PCB空间,同时具备良好的散热性能。
4. 宽广的工作温度范围(-55℃至175℃),确保在极端环境下的可靠性。
5. 短路耐受能力,增强了器件的耐用性。
6. 符合RoHS标准,满足环保要求。
7. 支持高频开关操作,适合DC-DC转换器、电机驱动器和其他功率电子电路。
BSC031N06NS3G适用于广泛的功率转换和控制场景,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动器。
4. 汽车电子系统,如电池管理系统(BMS)、逆变器和辅助负载控制。
5. 电信和数据通信设备中的高效功率转换模块。
6. 可再生能源领域的太阳能逆变器和储能系统。
7. 快速充电适配器以及其他需要高性能功率管理的便携式设备。
BSC028N06NS3G, BSC032N06NS3G