时间：2025/6/30 8:28:13
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BSC030N10NS5SC 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），能够承受较高的电流和电压。这款 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，连续漏极电流可达 30A，非常适合于需要高效功率管理的场景。
该器件在设计时注重降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。同时，它还具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于实现高频开关操作。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷（典型值）：48nC
输入电容（典型值）：1970pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263-3（D2PAK）
BSC030N10NS5SC 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 30A 的连续漏极电流。
3. 采用先进的沟槽技术，确保了优秀的开关特性和热性能。
4. 较低的栅极电荷和输出电容，适合高频开关应用。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），可在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器和逆变器的核心组件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 汽车电子系统中的高可靠性功率管理模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制部分。
BSC032N10NS5, IRFZ44N, FDP036N10L
