时间：2025/5/10 17:06:42
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BSC030N03MS G 是一款来自英飞凌（Infineon）的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 OptiMOS 技术。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。
这款芯片采用 TO-Leadless 封装（TOLL），具备出色的热性能和电气性能，非常适合要求紧凑型设计和高效能的应用场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：247A
导通电阻（典型值）：0.58mΩ
栅极电荷（Qg）：16nC
输入电容（Ciss）：3980pF
极间电容（Crss）：290pF
输出电容（Coss）：120pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
1. 极低的导通电阻（Rds(on
2. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体效率。
3. 高雪崩能量能力，确保在过载或短路条件下具备更高的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管（体二极管），适用于同步整流和其他高频应用。
5. 支持高达 175°C 的结温，适合高温环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 先进的封装技术，提高了散热性能和机械稳定性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关和同步整流器。
2. DC-DC 转换器及 POL（Point of Load）转换器。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的大电流负载切换。
6. LED 照明驱动电路。
7. 其他需要高效能功率开关的应用场景。
BSC030N03NS G, BSC033N03LS G
