时间：2025/4/29 16:25:09
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BSC027N10NS5 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和快速动态响应的应用场景。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：27A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：96nC（典型值）
输入电容：3340pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
BSC027N10NS5 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在过载或短路条件下的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，节省了 PCB 空间，同时具备出色的热性能。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保制造要求。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种工业环境需求。
这款功率 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车和混合动力汽车的动力总成系统。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
BSC028N10NS5
BSC024N10NS5
