BSC025N08LS5是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于OptiMOS系列,采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点。它适用于各种电源转换和电机驱动应用,能够满足现代电子产品对高效能和小型化的要求。
BSC025N08LS5的封装形式为SuperSO8,这种封装方式不仅体积小,而且具备良好的散热性能,适合空间受限的设计。这款MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及消费类电子设备中。
类型:NMOS
最大漏源电压Vds:80V
最大连续漏极电流Id:25A
导通电阻Rds(on):1.9mΩ(典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷Qg:34nC
总功耗Ptot:26W
工作温度范围Tj:-55°C至+175°C
BSC025N08LS5具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高切换速度,降低开关损耗,特别适合高频应用。
3. 超低栅极电荷(Qg),使得驱动损耗最小化。
4. 坚固耐用的设计,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
6. 内置ESD保护功能,增强了产品的可靠性。
7. 优异的热性能,确保在高功率密度下的稳定表现。
BSC025N08LS5适用于多种应用领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的电源管理和控制模块。
6. 工业自动化设备中的信号处理与功率传输部分。
BSC028N08NS5, BSC025N08LSG