时间：2025/6/21 22:45:55
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BSC025N03MS G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于要求高效能和快速动态响应的应用场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SuperSO8（DDPAK），具备良好的散热性能和紧凑的尺寸设计，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷（典型值）：79nC
总电容（输入电容）：1630pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 150℃
BSC025N03MS G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，在 10V 栅极驱动时仅为 1.4mΩ，能够有效降低传导损耗。
2. 高效率开关能力，栅极电荷较小（79nC 典型值），确保更快的开关速度并减少开关损耗。
3. 紧凑型 SuperSO8 封装，节省 PCB 空间且便于安装。
4. 工作温度范围宽广，支持从 -55°C 到 +150°C 的环境条件。
5. 内置反向二极管，可实现更高效的续流功能，适用于同步整流和 DC-DC 转换等应用。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电动工具、家用电器和工业电机驱动中的功率控制模块。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电路径管理。
5. 电信和网络设备中的高效功率转换方案。
BSC025N03NS G, BSC025N03LS G
