时间：2025/5/13 10:29:23
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BSC018N04LSGATMA1 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于各种高效能的电源管理应用。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，这种封装方式有助于提高热性能和电气性能，并减少寄生电感的影响。
该型号中的具体后缀 ATMA1 表示其符合汽车级标准（AEC-Q101），并具有更高的可靠性和稳定性，适合在恶劣环境条件下使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：139A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：82nC
输入电容：2560pF
开关频率：高达1MHz
结温范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低功率损耗，提升效率。
2. 高电流处理能力，使其适合用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，满足现代电力电子设备的需求。
4. TOLL 封装提供出色的散热性能和机械强度。
5. 符合汽车级要求，能够在极端温度和振动环境下稳定工作。
6. 内置防静电保护，提高了器件的鲁棒性。
7. 短路耐受时间长，增强了系统的安全性。
1. 电动汽车中的电机驱动与 DC/DC 转换器。
2. 工业自动化设备中的逆变器和伺服驱动。
3. 高效开关电源设计，例如服务器、电信设备的电源模块。
4. 太阳能微逆变器和储能系统中的功率转换。
5. LED 照明驱动电路中的功率控制元件。
6. 各类消费类电子产品的快速充电适配器。
BSC016N04LS_G_ATMA1, BSC022N04LS_G_ATMA1
