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BSC011N03LS 发布时间 时间:2025/12/24 3:34:24 查看 阅读:14

BSC011N03LS 是一款由英飞凌(Infineon)生产的增强型 N 沱道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的 TRENCHSTOP 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其典型应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等场景。
  该 MOSFET 的额定电压为 30V,能够满足多种低压应用的需求。其封装形式为 SuperSO8,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.4A
  导通电阻(Rds(on)):1.1mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  开关时间:导通延迟时间 6ns,关断延迟时间 15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSC011N03LS 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗,提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 高雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣条件下可靠运行。
  4. 小型 SuperSO8 封装,节省 PCB 空间。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  6. 支持宽范围的工作温度,适应各种工业和汽车环境。

应用

BSC011N03LS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动中的 H 桥和半桥配置。
  4. LED 驱动器中的电流控制。
  5. 数据通信设备中的功率分配模块。
  6. 各类便携式电子设备中的高效功率转换电路。

替代型号

BSC012N03LS
  BSC014N03LS
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BSC011N03LS参数

  • 数据列表BSC011N03LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.1 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4700pF @ 15V
  • 功率 - 最大96W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC011N03LSTRSP000799082