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BSC010NE2LS 发布时间 时间:2025/4/27 12:48:07 查看 阅读:5

BSC010NE2LS 是一款 N 沣道晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),属于 Infineon Technologies 的产品系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 LFPAK88(Power-SO8),能够提供出色的散热性能和电气特性。
  这款 MOSFET 主要用于需要高效能、低损耗的电路设计中,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理以及电机控制等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:74A
  导通电阻:0.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:LFPAK88 (Power-SO8)

特性

BSC010NE2LS 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在大电流应用中减少功率损耗。
  2. 高额定电流能力使其适合处理高负载需求的应用场景。
  3. 快速开关性能可以提高系统的效率并降低电磁干扰。
  4. 小型化封装设计节省了 PCB 空间,同时保持良好的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围适应各种恶劣环境下的使用要求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

BSC010NE2LS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和降压/升压转换。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动与控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和 DC-DC 转换。
  5. 通信设备中的信号调节和功率管理。
  6. 大功率 LED 驱动电路设计。

替代型号

BSC012N06NS, IRFZ44N, FDP16N06L

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BSC010NE2LS参数

  • 数据列表BSC010NE2LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptoMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4700pF @ 12V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC010NE2LSATMA1SP000776124