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BS870-7 发布时间 时间:2025/6/30 12:39:20 查看 阅读:3

BS870-7是一种基于双极性晶体管(BJT)技术的NPN型高频开关晶体管,广泛应用于各种消费电子和工业领域中的信号放大和高速开关电路。该晶体管具有较高的电流增益、低饱和电压和快速开关特性,能够满足现代电子产品对高性能和低功耗的需求。
  其封装形式通常为SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度组装需求。由于其优异的电气特性和稳定性,BS870-7成为众多设计工程师在中低功率应用中的理想选择。

参数

集电极-发射极击穿电压:45V
  集电极最大电流:150mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  集电极-发射极饱和电压:0.3V
  工作温度范围:-55℃~150℃
  存储温度范围:-65℃~150℃
  最大功耗:200mW
  过渡频率(fT):300MHz

特性

BS870-7具备以下主要特性:
  1. 高频性能:高达300MHz的过渡频率使其非常适合用于高频开关和信号放大应用。
  2. 快速开关能力:得益于低饱和电压和短开关时间,可有效减少能量损耗并提升效率。
  3. 稳定性强:即使在较宽的工作温度范围内也能保持稳定的性能输出。
  4. 小型化封装:采用SOT-23封装,有助于实现更紧凑的设计布局。
  5. 高可靠性:经过严格测试,确保长期使用的稳定性和耐用性。

应用

BS870-7晶体管适用于多种场景下的电子电路设计,包括但不限于:
  1. 开关电源中的驱动电路和保护电路。
  2. 音频设备中的前置放大器和信号处理模块。
  3. 通信设备中的调制解调电路及射频前端组件。
  4. 工业控制领域的传感器接口与逻辑电平转换。
  5. 消费类电子产品如遥控器、玩具等的小信号控制部分。

替代型号

2SC5951
  BC847
  MPS2222A

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BS870-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C250mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BS870DITRBS870TRBS870TR-ND